国家知识产权局信息显示，上海新阳半导体材料股份有限公司申请一项名为“一种高选择比锗硅刻蚀液的应用”的专利，公开号CN121825550A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高选择比锗硅刻蚀液的应用。具体地，本发明提供了一种锗硅刻蚀液在选择性刻蚀GAAMOSFET结构中牺牲层中的应用；所述的锗硅刻蚀液由以下质量百分比的组分组成：0.1%‑5%的氟化物、5%‑70%的氧化剂、0.1%‑2%抑制剂、1%‑5%缓冲组分和溶剂；各组分质量百分比之和为100%，所述的质量百分比为各组分质量占锗硅刻蚀液总质量的百分比；所述抑制剂为EO‑PO聚合物。所述锗硅刻蚀液可以选择性加快对硅‑锗合金的刻蚀速率，具有较高的选择比。

天眼查资料显示，上海新阳半导体材料股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本31338.1402万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新阳半导体材料股份有限公司共对外投资了25家企业，参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息437条，此外企业还拥有行政许可107个。

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